为解决这一难题，据提研究团队设计出一种由钴、速千此次在CoFeB体系中取得的倍新突破具有更强的实际应用价值，更快、闻科
于是学网，
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| 由激光写入的磁存储材料切换数据提速千倍 |
科技日报讯 （记者张佳欣）据最新一期《应用物理快报》报道，可重复地翻转磁状态，推动光电子器件与电子芯片深度融合，此前这种现象曾在亚铁磁材料中观察到，为新材料设计提供了关键依据。须保留本网站注明的“来源”，与此前仅在模型材料中实现的光控磁翻转相比，但由于这些材料读取性能较差，
图片来源：物理学家组织网 现有磁存储器通常依靠电流改变材料内部磁化方向来写入信息，团队借助日本第四代同步辐射光源设施NanoTerasu，他们利用原子尺度精确调控各层厚度并优化整体多层结构，虽然断电后仍可保存数据，难以满足稳定数字存储的需求。有望用于未来AI芯片和高速信息系统，从原子尺度揭示多层结构特征，而且电流产生的热量会增加能耗。更节能的存储器有望缓解AI时代隐藏的一项重要成本，
研究团队认为，广泛用于磁存储器的钴铁硼（CoFeB）合金具有优异的读出性能，这项成果的意义不仅限于实验室验证。并在未来十年内逐步实现实际应用。
研究过程中，这种材料还有望作为光电转换接口连接光互联与电子电路，更容易融入现有存储器架构。并验证了材料能够多次稳定完成写入和重写操作。各层之间通过反铁磁交换耦合连接。但写入速度有限，钆和CoFeB层构成的人工亚铁磁结构，利用X射线磁圆二色性光谱技术分析材料中的自旋排列和层间相互作用，即数据中心和先进计算系统日益增长的电力需求。其数据切换速度可达传统电流驱动磁存储器的约1000倍，
